![]() | SMT10T07ALU 100V N 沟道功率 MOSFET 产品介绍 SMT10T07ALU 是一款高性能 100V N 沟道功率 MOSFET,采用 TO252-3L 封装形式,凭借低导通电阻、优异的品质因数(FoM)及稳定的电气性能,成为工业、通信等领域高频开关与功率控制的理想选择,且产品符合无卤环保标准,满足现代电子设备的绿色设计要求。 |
核心性能优势
关键电气与热学参数极限额定参数(Tc=25℃,除非另有说明)
核心热学特性
| 封装与机械特性 产品采用 TO252-3L 贴片封装,引脚配置为顶部视图 D(漏极)、G(栅极)、S(源极),封装使用绿色模塑化合物,符合 UL94V-0 阻燃等级,防潮敏感度为 J-STD-020 标准 3 级。封装尺寸标准化,适配常规贴片焊接工艺,推荐焊接焊盘尺寸经过优化,可提升焊接可靠性与散热效果,卷盘包装为 13 英寸载带卷盘,每盘 2500pcs,满足批量生产需求。 典型应用场景依托优秀的电气性能,SMT10T07ALU 可广泛应用于各类功率电子电路,核心应用包括:
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超低导通电阻,能效表现优异:产品在栅源电压 VGS=10V、漏极电流 ID=20A 时,静态漏源导通电阻 RDS (ON) 典型值仅 6.1mΩ,最大值 7.4mΩ;即使在低栅压 VGS=4.5V、ID=15A 工况下,典型值也仅 7.9mΩ,大幅降低导通损耗,提升电路能源利用效率。
高电流承载能力:在壳温 25℃时,持续漏极电流可达 73A,壳温升至 100℃仍保持 46A 的额定值,脉冲漏极电流更是高达 292A,能适配大电流功率控制场景,满足高负载工作需求。
优异的品质因数与可靠性:具备出色的 FoM,且经过 100%ΔVDS、非钳位感性开关(UIS)及栅极电阻(Rg)测试,单脉冲雪崩能量 250mJ、单脉冲雪崩电流 31A,抗冲击能力强,工作稳定性佳。
高频开关特性出色:栅极电荷特性优异,VGS=10V 时总栅极电荷 Qg 仅 27nC,低栅压 4.5V 时 Qg 为 13.2nC;开关延迟时间短,开通延迟 4.6ns、关断延迟 23ns,上升时间 10ns、下降时间 21ns,配合低输入 / 输出电容特性,完美适配高频开关应用。
宽温工作范围:结温和存储温度范围覆盖 - 55℃~+150℃,能在高低温极端环境下稳定工作,适应工业设备、户外通信装置等复杂的工作环境。