SMN3004BLR
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30V N 沟道功率 MOSFET
品牌:中晶新源
漏源电压 VDS 达 30V
VGS=10V
时导通电阻 RDS (ON) 最大仅 4.4mΩ
VGS=4.5V 时最大 5.8mΩ
工作温度:- 55℃~+150℃
应用:家用变频扫地机器人 BLDC 电机驱动、工业小型步进电机驱动器、无人机无刷电机电调
应用场景
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产品描述

SMN3004BLR简介:

SMN3004BLR 是一款 30V N 沟道功率 MOSFET,采用 PDFN3333-8L 封装形式,器件标识为 N3004BL,以 13 英寸卷带式包装出货,每卷 5000pcs。该器件核心参数优异,在 VGS=10V 时最大导通电阻仅 4.4mΩ,VGS=4.5V 时为 5.8mΩ,25℃下连续漏极电流可达 67A,脉冲漏极电流最高 268A,同时满足无卤素、94V-0 阻燃等级等环保与安全标准,湿气敏感度等级为 1 级,适配各类高性能功率应用场景的小型化、高可靠性设计需求。



应用场景

  1. 电机驱动:凭借低导通电阻、大电流承载能力和优异的开关特性,适配各类中小功率电机的驱动控制,如工业微型电机、汽车车载小电机等。

  2. 锂电池保护:30V 耐压、高电流规格与稳定的电气性能,可作为锂电池保护板的核心功率器件,适用于消费电子、车载储能、便携式设备的锂电池组过流、过压保护。

  3. 高性能功率管理:广泛应用于各类需要高效功率转换、稳压稳流的场景,尤其适配车载电子(如车载 USB 快充模块、中控台电源模块),满足车载环境的阻燃、抗冲击、电压波动耐受要求;同时也适用于消费电子快充、工业电源、便携式储能设备的功率变换电路。


产品特性
  • 低导通电阻:VGS=10V/ID=20A 时 RDS (ON) 最大 4.4mΩ,VGS=4.5V/ID=15A 时最大 5.8mΩ,功率损耗低,转换效率高。

  • 优异性能指标:具备出色的品质因数(FoM),100% 经过单脉冲雪崩耐量(UIS)和栅极电阻(Rg)测试,雪崩能量 194mJ,雪崩电流 35A,抗冲击能力强。

  • 电气特性稳定:栅极阈值电压 1.0~2.0V,开关速度快(开通延迟 7.5ns、关断延迟 48ns),栅极电荷低(VGS=10V 时 Qg=46nC,VGS=4.5V 时 Qg=22nC),动态响应佳;结温与存储温度范围宽,达 - 55~+150℃,适配复杂温变环境。

  • 高可靠性与耐用性:结到壳热阻低(最大 3.9℃/W),散热性能优异;25℃下最大功耗 32W,电流、功率均支持宽温域降额,安全工作区范围广,可耐受汽车颠簸、电压波动等恶劣工况。

  • 环保与安全合规:采用绿色模塑化合物,无卤素设计;UL 阻燃等级 94V-0,满足车载等电子设备的安全要求;湿气敏感度等级 1 级,存储和焊接兼容性好。

  • 封装小型化:PDFN3333-8L 封装尺寸小巧(标称 3.3×3.35mm),适配狭小安装空间,引脚配置为 4D+3S+1G,布局合理,便于电路集成。